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DMP2039UFDE
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T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
f = 1MHz
C iss
C oss
100,000
10,000
1,000
100
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
C rss
10
T A = 25°C
0
5 10 15
20
1
0
5 10 15 20 25
8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
100
6
10
R DS(on)
Limited
DC
P W = 10 μ s
4
1
0.1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
2
0.01
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0.001
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Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
DMP2039UFDE
Document number: DS35420 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
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